国产ArF光刻胶取得重大突破：可用于7nm工艺

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打破日美垄断 国产ArF光刻胶取得重大突破：可用于7nm工艺

2020-05-22 19:11:15 出处：快科技 作者：宪瑞 编辑：宪瑞 人气： 660 次
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美国日本光刻胶
作为半导体卡脖子的技术之一，很多人只知道光刻机，却不知道光刻胶的重要性，这个市场也是被日本及美国公司垄断，TOP5厂商占了全球85%的份额。
国产光刻胶此前只能用于低端工艺生产线中，能做到G 线（436nm）、I 线 （365nm）
水平，目前主要在用的ArF光刻胶还是靠进口，EUV光刻胶目前还没有公司能生产，基本上都控制在日本公司手中。
不过EUV光刻胶也不是急需的，因为国内目前还没有EUV工艺量产，193nm的ArF光刻胶更加重要，目前国内有多家公司正在公关中，这种光刻胶可以用于28nm到7nm工艺的先进
工艺。
今天，南大光电在互动平台表示，公司的ArF光刻胶正在按计划进行客户测试，这意味
着国内的ArF光刻胶技术取得了重要突破，从研发开始走向生产。
根据南大光电公司之前的 消息，公司于2017年开始研发“193nm 光刻胶项目”，已获
得国家“02 专项”的相关项目立项，公司计划通过3年的建设、投产及实现销售，达到年产25吨 193nm（ArF干式和浸没式）光刻胶产品的生产规模，产品将满足集成电路行
业需求标准。