中芯国际年底量产7nm芯片

日前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％
，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电7nm+，重点在提升性能，年底即可量产。

今天，中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺，也澄清了一些误会。

首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。

据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，
预计第四季度有限量产。

与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能，N+1的性能比14nm提高了约20％，但市场基准提升幅度是35％，所以有差距，但这也
是唯一的差距。

如果是从功耗、稳定性方面而言，可以将中芯国际N+1称为7nm，而在性能方面确实要比7nm差。

中芯国际对N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10％，因此是一个非常特殊的工艺节点。

从中芯国际的表态看，N+1更类似于台积电、三星的10nm，或者有点像三星的8nm，因为20％的性能提升幅度远低于台积电预计的30％、实际的35％。

至于N+2工艺，与市场7nm更为接近，尤其是稳定性，但是性能仍然略逊一筹。

另外随着台积电、三星陆续导入EUV极紫外光刻，中芯国际也在加速推进，但是梁孟松
曾明确表示，

中芯国际无需EUV就能达成7nm，当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。

其实，台积电第一代7nm也没有用EUV而是继续传统DUV，7nm+才有限导入EUV，几十层光罩中只有几层使用。

现在手机芯片性能过剩，其实只要功耗，成本低，就很有竞争力了

厉害了

【 在 keyrock (不高兴) 的大作中提到: 】
: 日前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1
: 工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％
: ，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
:
: 业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电
7nm
: +，重点在提升性能，年底即可量产。
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: 今天，中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺，也澄清了一些误会。
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: 首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。
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: 据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，
: 预计第四季度有限量产。
:
: 与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能
: ，N+1的性能比14nm提高了约20％，但市场基准提升幅度是35％，所以有差距，但这也
: 是唯一的差距。
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: 如果是从功耗、稳定性方面而言，可以将中芯国际N+1称为7nm，而在性能方面确实要比
: 7nm差。
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: 中芯国际对N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10％，因此
: 是一个非常特殊的工艺节点。
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: 从中芯国际的表态看，N+1更类似于台积电、三星的10nm，或者有点像三星的8nm，因为
: 20％的性能提升幅度远低于台积电预计的30％、实际的35％。
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: 至于N+2工艺，与市场7nm更为接近，尤其是稳定性，但是性能仍然略逊一筹。
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: 另外随着台积电、三星陆续导入EUV极紫外光刻，中芯国际也在加速推进，但是梁孟松
: 曾明确表示，
:
: 中芯国际无需EUV就能达成7nm，当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。
:
: 其实，台积电第一代7nm也没有用EUV而是继续传统DUV，7nm+才有限导入EUV，几十层光
: 罩中只有几层使用。

梁孟松

唉，一言难尽

做为圈内人，我就告诉你一个事实，中芯就是个粪坑

【 在 keyrock (不高兴) 的大作中提到: 】
: 日前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1
: 工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％
: ，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
: 业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电
7nm
: +，重点在提升性能，年底即可量产。
: 今天，中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺，也澄清了一些误会。
: 首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。
: 据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，
: 预计第四季度有限量产。
: 与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能
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Tosylate 很快会来解读。

【 在 keyrock (不高兴) 的大作中提到: 】
: 日前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1
: 工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％
: ，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
: 业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电
7nm
: +，重点在提升性能，年底即可量产。
: 今天，中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺，也澄清了一些误会。
: 首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。
: 据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，
: 预计第四季度有限量产。
: 与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能
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先把14纳米良品率搞到能量产再来吹7纳米的牛吧，惹恼了美断供设备的话，连28纳米
也做不成了

先把14纳米良品率搞到能量产再来吹7纳米的牛吧，惹恼了美断供设备的话，连现在唯
一能量产的28纳米也做不成了

真是辛苦

【 在 keyrock (不高兴) 的大作中提到: 】
: 日前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1
: 工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％
: ，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
: 业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电
7nm
: +，重点在提升性能，年底即可量产。
: 今天，中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺，也澄清了一些误会。
: 首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。
: 据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，
: 预计第四季度有限量产。
: 与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能
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光刻机的时间差距也就在3年左右。

ASML得意不了多久。