在氧化物上頭長矽單晶 (SOI) 良率就是上不去 韓國半導體的問題

在氧化物上頭長矽單晶 (SOI) 良率就是上不去 韓國半導體的問題
名義上是 GAA gate all around 但你要在 矽單晶下面放 gate 導體 那 gate 下面還得有 絕緣體 或真空 通常會放絕緣體 免得 gate 跟 矽單晶 channel 沒事亂跑
問題是 這就構成了 silicon on insulator SOI 的結構
SOI 的結構 做大顆 做少量 比如說兩三百顆 放在晶片上 良率不會太低 但如果要做小 做很多 比如 3nm 2nm 的 電晶體 塞在小小的晶片上 那良率就上不去
韓國實驗室的良率跟量產的良率的落差在其中 SOP 弄再好 也提升不了多少
所以以後看半導體的技術 號稱多先進 就先看看 他們的矽單晶 channel 跟 晶片底板之間有沒有 氧化物或絕緣體的存在 有的話
良率上不去