GAA 畢竟還是不行啊 還是得 finfet

我當初教 金氧半元件 這門課 得個一個結論
channel 下面不能有 氧化物
如果 channel 下面有氧化物 就只能做成 元件 沒法做成大 IC 也就是說 可以出論文 甚至可以做到 256個元件
但 要做幾百萬個元件 良率太低
GAA 的三星做法 不是在氧化物上面長 channel
是從側面長 channel過去接起來但最後
channel 下面畢竟還是氧化物
所以還是沒法逃過那個規律啊....