科普关于中芯芯片7nm的新闻

huashan2018
楼主 (北美华人网)
今天到处都在传这个新闻,有相信的,也有不相信的,我个人倾向于有一定的可信度,但是后续工作还很艰巨,并不是想象那么容易。但在这之前,我想科普一下这个新闻到底说的什么。以免很多人误会。
芯片工艺流程目前所谓的21nm 14nm 7nm指的是一种叫做MOSFET的流程中芯片可以做到的微小程度。每一个程度的提高,其主要标志在于两点,一个是性能的提升,另一个是功耗的降低,例如7nm和14nm的区别在于7nm的芯片性能比14nm高出50%以上,而功耗降低50%以上(当然这两个%数字我可能记得不准确,但大致意思就是这样)。
就好像通向罗马的道路不只一条,那么芯片性能的提升,功耗的降低,也不一定非要从某一种制程上入手,中芯采用的制程和传统所谓的MOSFET不一样,它用了一种叫做FINFET的制程。这两种制程的最大区别就在于,MOSFET是2D的,只在长宽两个维度上有效用,FINFET是3D的,可以在长宽高三个维度上产生效用。FINFET的优势在于,当MOSFET降低到20nm以内之后,制程继续往微小的方向突破,会相当困难。台积电积累了多年的技术,突破了7nm,中芯不可能短时间搞定。但是如果在第三维上发展,那么还可以有相当大的挖掘空间。
据称中芯的FINFET制程目前做到的是10nm,这个FINFET N+1制程做出来的芯片,最微小的部分是10nm,但由于向第三维发展,性能上大概相当于传统台积电MOSFET制程的8nm的水平。如果是N+2,那么可与7nm芯片的水平相当。新闻里面只说了N+1流片成功,也就是相当于台积电8nm这个水平,但要真正实现量产恐怕还早,怎么也得半年以上,说年底就有点放卫星的意思了。我初步估计最快也要明年3-4月份才能实现良率不高的量产。这是8nm,如果要实现7nm同一水平的N+2,怎么也得明年年底去了。

phlin
今天到处都在传这个新闻,有相信的,也有不相信的,我个人倾向于有一定的可信度,但是后续工作还很艰巨,并不是想象那么容易。但在这之前,我想科普一下这个新闻到底说的什么。以免很多人误会。
芯片工艺流程目前所谓的21nm 14nm 7nm指的是一种叫做MOSFET的流程中芯片可以做到的微小程度。每一个程度的提高,其主要标志在于两点,一个是性能的提升,另一个是功耗的降低,例如7nm和14nm的区别在于7nm的芯片性能比14nm高出50%以上,而功耗降低50%以上(当然这两个%数字我可能记得不准确,但大致意思就是这样)。
就好像通向罗马的道路不只一条,那么芯片性能的提升,功耗的降低,也不一定非要从某一种制程上入手,中芯采用的制程和传统所谓的MOSFET不一样,它用了一种叫做FINFET的制程。这两种制程的最大区别就在于,MOSFET是2D的,只在长宽两个维度上有效用,FINFET是3D的,可以在长宽高三个维度上产生效用。FINFET的优势在于,当MOSFET降低到20nm以内之后,制程继续往微小的方向突破,会相当困难。台积电积累了多年的技术,突破了7nm,中芯不可能短时间搞定。但是如果在第三维上发展,那么还可以有相当大的挖掘空间。
据称中芯的FINFET制程目前做到的是10nm,这个FINFET N+1制程做出来的芯片,最微小的部分是10nm,但由于向第三维发展,性能上大概相当于传统台积电MOSFET制程的8nm的水平。如果是N+2,那么可与7nm芯片的水平相当。新闻里面只说了N+1流片成功,也就是相当于台积电8nm这个水平,但要真正实现量产恐怕还早,怎么也得半年以上,说年底就有点放卫星的意思了。我初步估计最快也要明年3-4月份才能实现良率不高的量产。这是8nm,如果要实现7nm同一水平的N+2,怎么也得明年年底去了。


huashan2018 发表于 2020-10-13 01:56

30nm 以下就需要用 finfet 了
原因在這邊 可以開字幕跟字幕翻譯看
https://www.youtube.com/watch?v=kL4wiiLxQ50

https://www.youtube.com/watch?v=gBve7dEOK78

https://www.youtube.com/watch?v=XzgDQlsBC_Q
我有開一門課叫半導體元件........
N+1 對應的台積電是 10nm intel 的14nm
不過
能夠做出來還是很恭喜
加油 !!!

comfrey
不谈yield的半导体制造都是扯...
phlin
不谈yield的半导体制造都是扯...
comfrey 发表于 2020-10-13 02:34

這跟我們實驗室製作大不相同啊
實驗室 做兩百顆 有一顆能量到數據 就能發論文
yield 0.5%
huashan2018
不谈yield的半导体制造都是扯...
comfrey 发表于 2020-10-13 02:34

新闻说实验室成功了一颗,到有意义的yield还早
Beingyourself
这么简单事情,还继续忽悠
N+1 就是低阶 7纳米(台积电工艺的7纳米),很多新闻都讲的很明白,和台积电7纳米工艺唯一不同,性能提升了 20%,台积电7纳米性能提升35%,其它和台积电7纳米工艺没有不同的。
Beingyourself
这个对中芯国际来讲是重大突破,7纳米成功,5纳米问题就不大了,现在关键是7纳米的良率问题,台积电,三星,7纳米良率都不高,尤其三星在7纳米良率很有问题。
mise88
哪家的進度到哪裡,誰最了解?
設備商最了解。因為有什麼機台,上面有什麼Recipe 需要Tuning, 買什麼CIP 零件,都瞭若指掌。




s
smileforlife
回复 1楼huashan2018的帖子
没用,早晚会被美帝禁掉。我鳖就是喜欢忽悠,把自己忽悠死了。一方面让中芯说和军方没有关系,一方面各军总参研究所开着各种对外号称初创公司把军品的项目拿到中芯流片,中芯假装不知道。更不地道的是,外国其他公司在中芯流的片,结果把gds图偷出来卖给军方反向工程。我鳖军民融合就是障眼法,挂羊头卖狗肉,非常low
Beingyourself
就像2.0t发动机功率有的高,有的低,低也是2.0T
中芯国际 7纳米和14纳米是同步研发,显然中芯国际没那个实力一步做到和台积电一样,所以分二步走来实现7纳米工艺(就是N+1,N+2)n+2工艺就全面达到台积电7纳米工艺,现在N+1显然和台积电7纳米还是有差距的
phlin
这个对中芯国际来讲是重大突破,7纳米成功,5纳米问题就不大了,现在关键是7纳米的良率问题,台积电,三星,7纳米良率都不高,尤其三星在7纳米良率很有问题。
Beingyourself 发表于 2020-10-13 03:22

七奈米 跟五奈米不一樣
用DUV 五奈米需要做到 十六倍密度
良率就更低低低低了
得上 EUV
不過 反正是 帝 出錢
良率於帝何有哉
twptwp
谢谢lz科普
华人马甲
楼主别出来丢人了。最微小的部分是10nm。这一点世界上没有任何一家能做到!
Beingyourself
七奈米 跟五奈米不一樣
用DUV 五奈米需要做到 十六倍密度
良率就更低低低低了
得上 EUV
不過 反正是 帝 出錢
良率於帝何有哉

phlin 发表于 2020-10-13 06:12

肯定要上euv,没有euv,中芯国际 7纳米就到顶了,而且还是7纳米低端版本
shi557
这种事对平头百姓来说不如明天吃什么重要。