林本坚是谁？ 半导体制造行业的人都知道， 他是曾经服务于台积电的3位美国工程院院士之一（另外2位是张忠谋和胡正明），浸润式光刻技术的发明人。
光刻机和光刻技术现在中国几乎是家喻户晓， 主要是中国媒体很不负责任地大声疾呼， 把中国半导体制造落后的原因归咎于美国或西方对华光刻机限售。 其实，光刻以前从来就不是啥关键技术，早期芯片制造厂是自己动手制造光刻机， 到上世纪末期，日本人凭他们的精细打败了一群美国生产厂家，基本上统治了这块市场。
到了本世纪开头，原有光刻技术已经不能满足摩尔定律要求了，当时有2个新方向，一是157nm波长紫外光刻、以空气为介质的“干式”光刻技术的突破，日本人把主要力量放在这个方向， 2是EUV（极紫外光刻），这是美国人努力的方向，为此还成立了EUV联盟， 联合当时的6家巨头合作开发EUV。 这时刚转到台积电不久的林本坚， 却到处推销他的用水做介质的紫外浸润式光刻。
其实浸润式光刻是林本坚在IBM工作时做的，他后来回忆，当时IBM里面各个路线试尝都有，其中最被看好的是X光光源， 林于是在他的办公室门外贴个条子：beat X ray. X光光刻后来没做出来，林的紫外光浸润式光刻做出来了， 但没引起公司的重视，这就是大公司的弊端之一了。 ps. 到了2019年，中科院什么所也用X光在实验室做了啥，在中国媒体上宣称取得所谓光刻“突破”，引起粉红们欢呼一片，唉，作为曾经粉红的我， 中国半导体行业放的卫星见得多不胜数，早就知道是怎么一回事，肯定又是无疾而终。
林本坚推销的浸润式光刻， 引起了2家公司的兴趣，一个是德国飞利浦公司的子公司，当时在光刻领域还是无名小卒的ASML。 还有日本的尼康， 至于为啥后来ASML打败日本的2家公司（尼康和佳能), 我在自己的博克里别的帖子里说过了，这里再贴一次： 日本人做事认真，但局限在自己的圈子里，而荷兰作为现代资本主义的鼻祖，走的是跨国利用全球人才和技术资源的路子， 它的技术开发人员是国际化的，技术和零部件来自全球各地，比如多达50%来自美国，镜头来自德国蔡斯，台湾也有它的零部件供应商，而它自己集中精力关注整机整合，实践证明，这套方式要比日本人有竞争优势。
总之，林本坚的浸润式光刻路线大获成功， 他也因此获得了应得的荣誉，凭浸润式光刻和胡正明发明的Finfet芯片结构，半导体制造业保持了摩尔定律， 从um级进步到7nm, 台积电用DUV（深紫外浸润式光刻）， 使用多重暴光，在2019年量产了7nm级别芯片，但再往下做，用浸润式光刻就很困难了，这时EUV出场了。
前面提到美国的EUV同盟，因为进展缓慢，也做不下去了，同盟中也最后也只有intel还有芯片制造部门，AMD/motorola/ IBM 早就把自己的芯片制造部门剥离，就是美国现在唯一的芯片代工公司GF。 而荷兰公司ASML因为浸润式光刻的大成功，而瞄上了下一代光刻EUV， 投入开发后觉得自己力量不足，于是在2012年拉了下游3大客户intel/三星/台积电出资入股来共担风险来继续开发EUV， intel是出资最多的， 买了15%ASML股份，三星我记得是5%，台积电最少，3%， 而且在2年后早早就把它的股份卖掉了，应该说，台积电原来是最不看好EUV的，我个人估计也与林本坚有关，林坚持认为EUV做不成，而他的浸润式可以长期往下做，可见，人很难跳出让自己大获成功的路径。
但具有讽刺意味的是，EUV在2017年终于实用化之后，反而是台积电应用得最成功，他们首先用EUV做出了7nm改进版（N7制程）， 去年Q2又推出了5nm量产， 今年Q3有开始了3nm试产，按他们过去的历史规律，一年后应该会量产。
中国大陆的芯片制造，实际上与中国过去在我开发的历史是断开的，因为半导体行业迭代太快，中国自己在实验室仿制都远远跟不上，而引进的国外生产线，往往等自己能掌握的时候，已经给抛开几代以后了，而后续开发，因为官办机构固有蹩端，根本就跟不上，但牛皮倒是不断。 直到本世纪初，台湾人到上海办了中芯，全盘用了国外设备和主要是台湾的人才和技术，才等于重新开始中国大陆的半导体制造， 中芯在中国大陆一直保证头牌位置，技术也一直在进步，但与台积电比，进步没有台积电大，所以其差距反而在拉大。 中芯在2019年底就号称量产了14nm, 当时我就说了，他们实际上是在试产，原来我估计，它们最快一年后能量产，但直到现在，在他们的财报里，14nm制程营收还没有单独列出，也就是说，实际上至今还没有量产。
中芯目前手上的设备，包括ASML的DUV光刻机， 理论上做到7nm量产是没问题的，台积电2019年量产7nm时的设备还没有中芯片现在好，比如ASML DUV 那时是1980Di款，现在已经进了2代了，到了2000i和2050i款了, 这些设备，至目前为止其销售对中芯是敞开的。 美国打坝子的，只是EUV，那时中芯已经定购了一台EUV用在实验室做研究，但在交货时，美国对荷兰政府施加压力，荷兰政府暂停了EUV对华出口许可证。
由此可见，光刻机过去和现在，都不是中国芯片制造卡脖子的关键，至于以后是不是，等到中芯把自己的7nm芯片量产出来再说吧，这在技术路线上已经被台积电证明是可行的。 当然，林本坚出于对自己浸润式光刻路线的偏爱，说不用EUV，中芯也可以做到5nm, 也许是也有可能吧。
包括14nm制程以下的材料。
中国过去30年做得很好了，一项项技术得以突破，美国的打压是迫不得已的，因为自己领先的东西越来越少。
思维是否开阔，这可不是5分加绵羊的好学生背景+名校毕业。工作态度是否能长期保持认真投入，观察是否细致入微，都很重要。 （2）企业管理是否公平，一旦取得了成果，有实际贡献的研究人员是否能得到与此相配的荣誉和奖励，还是领导出风头，吃肉，却让有实际贡献的人喝汤。这非常重要，大致决定了研究团队的士气和忠诚度。
以局外人的角度，中国的大公司这两点都不太好。似乎华为是异类，干的不错。
就2点印象：
1. 永远在内部扯皮
2，永远在准备投产，调试设备。
现在情况不太了解了，回头我认真看看
那时叫巴黎统筹委员会，限制对中出口军民两用技术。光刻机，高精密机床都是限制的。很长一段时间，基本就是中国自研到什么水平（样机），国外开放相应水平对华出口。因此，政府必须养着一个设备研发队伍，但这个队伍没法从市场得到回报。因为进口设备已经是老设备，比国产样机可靠多了。
林本坚是谁？ 半导体制造行业的人都知道， 他是曾经服务于台积电的3位美国工程院院士之一（另外2位是张忠谋和胡正明），浸润式光刻技术的发明人。
光刻机和光刻技术现在中国几乎是家喻户晓， 主要是中国媒体很不负责任地大声疾呼， 把中国半导体制造落后的原因归咎于美国或西方对华光刻机限售。 其实，光刻以前从来就不是啥关键技术，早期芯片制造厂是自己动手制造光刻机， 到上世纪末期，日本人凭他们的精细打败了一群美国生产厂家，基本上统治了这块市场。
到了本世纪开头，原有光刻技术已经不能满足摩尔定律要求了，当时有2个新方向，一是157nm波长紫外光刻、以空气为介质的“干式”光刻技术的突破，日本人把主要力量放在这个方向， 2是EUV（极紫外光刻），这是美国人努力的方向，为此还成立了EUV联盟， 联合当时的6家巨头合作开发EUV。 这时刚转到台积电不久的林本坚， 却到处推销他的用水做介质的紫外浸润式光刻。
其实浸润式光刻是林本坚在IBM工作时做的，他后来回忆，当时IBM里面各个路线试尝都有，其中最被看好的是X光光源， 林于是在他的办公室门外贴个条子：beat X ray. X光光刻后来没做出来，林的紫外光浸润式光刻做出来了， 但没引起公司的重视，这就是大公司的弊端之一了。 ps. 到了2019年，中科院什么所也用X光在实验室做了啥，在中国媒体上宣称取得所谓光刻“突破”，引起粉红们欢呼一片，唉，作为曾经粉红的我， 中国半导体行业放的卫星见得多不胜数，早就知道是怎么一回事，肯定又是无疾而终。
林本坚推销的浸润式光刻， 引起了2家公司的兴趣，一个是德国飞利浦公司的子公司，当时在光刻领域还是无名小卒的ASML。 还有日本的尼康， 至于为啥后来ASML打败日本的2家公司（尼康和佳能), 我在自己的博克里别的帖子里说过了，这里再贴一次： 日本人做事认真，但局限在自己的圈子里，而荷兰作为现代资本主义的鼻祖，走的是跨国利用全球人才和技术资源的路子， 它的技术开发人员是国际化的，技术和零部件来自全球各地，比如多达50%来自美国，镜头来自德国蔡斯，台湾也有它的零部件供应商，而它自己集中精力关注整机整合，实践证明，这套方式要比日本人有竞争优势。
总之，林本坚的浸润式光刻路线大获成功， 他也因此获得了应得的荣誉，凭浸润式光刻和胡正明发明的Finfet芯片结构，半导体制造业保持了摩尔定律， 从um级进步到7nm, 台积电用DUV（深紫外浸润式光刻）， 使用多重暴光，在2019年量产了7nm级别芯片，但再往下做，用浸润式光刻就很困难了，这时EUV出场了。
前面提到美国的EUV同盟，因为进展缓慢，也做不下去了，同盟中也最后也只有intel还有芯片制造部门，AMD/motorola/ IBM 早就把自己的芯片制造部门剥离，就是美国现在唯一的芯片代工公司GF。 而荷兰公司ASML因为浸润式光刻的大成功，而瞄上了下一代光刻EUV， 投入开发后觉得自己力量不足，于是在2012年拉了下游3大客户intel/三星/台积电出资入股来共担风险来继续开发EUV， intel是出资最多的， 买了15%ASML股份，三星我记得是5%，台积电最少，3%， 而且在2年后早早就把它的股份卖掉了，应该说，台积电原来是最不看好EUV的，我个人估计也与林本坚有关，林坚持认为EUV做不成，而他的浸润式可以长期往下做，可见，人很难跳出让自己大获成功的路径。
但具有讽刺意味的是，EUV在2017年终于实用化之后，反而是台积电应用得最成功，他们首先用EUV做出了7nm改进版（N7制程）， 去年Q2又推出了5nm量产， 今年Q3有开始了3nm试产，按他们过去的历史规律，一年后应该会量产。
中国大陆的芯片制造，实际上与中国过去在我开发的历史是断开的，因为半导体行业迭代太快，中国自己在实验室仿制都远远跟不上，而引进的国外生产线，往往等自己能掌握的时候，已经给抛开几代以后了，而后续开发，因为官办机构固有蹩端，根本就跟不上，但牛皮倒是不断。 直到本世纪初，台湾人到上海办了中芯，全盘用了国外设备和主要是台湾的人才和技术，才等于重新开始中国大陆的半导体制造， 中芯在中国大陆一直保证头牌位置，技术也一直在进步，但与台积电比，进步没有台积电大，所以其差距反而在拉大。 中芯在2019年底就号称量产了14nm, 当时我就说了，他们实际上是在试产，原来我估计，它们最快一年后能量产，但直到现在，在他们的财报里，14nm制程营收还没有单独列出，也就是说，实际上至今还没有量产。
中芯目前手上的设备，包括ASML的DUV光刻机， 理论上做到7nm量产是没问题的，台积电2019年量产7nm时的设备还没有中芯片现在好，比如ASML DUV 那时是1980Di款，现在已经进了2代了，到了2000i和2050i款了, 这些设备，至目前为止其销售对中芯是敞开的。 美国打坝子的，只是EUV，那时中芯已经定购了一台EUV用在实验室做研究，但在交货时，美国对荷兰政府施加压力，荷兰政府暂停了EUV对华出口许可证。
由此可见，光刻机过去和现在，都不是中国芯片制造卡脖子的关键，至于以后是不是，等到中芯把自己的7nm芯片量产出来再说吧，这在技术路线上已经被台积电证明是可行的。 当然，林本坚出于对自己浸润式光刻路线的偏爱，说不用EUV，中芯也可以做到5nm, 也许是也有可能吧。
包括14nm制程以下的材料。
中国过去30年做得很好了，一项项技术得以突破，美国的打压是迫不得已的，因为自己领先的东西越来越少。
思维是否开阔，这可不是5分加绵羊的好学生背景+名校毕业。工作态度是否能长期保持认真投入，观察是否细致入微，都很重要。 （2）企业管理是否公平，一旦取得了成果，有实际贡献的研究人员是否能得到与此相配的荣誉和奖励，还是领导出风头，吃肉，却让有实际贡献的人喝汤。这非常重要，大致决定了研究团队的士气和忠诚度。
以局外人的角度，中国的大公司这两点都不太好。似乎华为是异类，干的不错。
就2点印象：
1. 永远在内部扯皮
2，永远在准备投产，调试设备。
现在情况不太了解了，回头我认真看看
那时叫巴黎统筹委员会，限制对中出口军民两用技术。光刻机，高精密机床都是限制的。很长一段时间，基本就是中国自研到什么水平（样机），国外开放相应水平对华出口。因此，政府必须养着一个设备研发队伍，但这个队伍没法从市场得到回报。因为进口设备已经是老设备，比国产样机可靠多了。