重磅湖南大学芯片工艺突破至1nm以下

湖南大学的研究团队，采用低能量的范德华电极集成方式，实现了以二硫化钼作为半导体沟道的薄层甚至单原子层的短沟道垂直器件，减小了隧穿电流，使得这种垂直晶体管技术，进入到了一个新的阶段。

在测试中，垂直型晶体管在实现0.65nm的沟道长度的同时，同样保持着较好的特性，也就意味着芯片工艺，能够进入到1nm级别。

更重要的是，由于与平行型晶体管不同，这种垂直型晶体管技术，能够不依赖高精度光刻技术和刻蚀技术的限制，就可以生产出高制程的芯片来。

目前相关论文已发表在《自然·电子学》（Nature Electronics）杂志上，湖南大学的官网上也有相关的详细报道。

离生产应用还差的远吧

NB

你信吗？

【 在 Zinus (Suniz) 的大作中提到: 】
: 湖南大学的研究团队，采用低能量的范德华电极集成方式，实现了以二硫化钼作为半导
: 体沟道的薄层甚至单原子层的短沟道垂直器件，减小了隧穿电流，使得这种垂直晶体管
: 技术，进入到了一个新的阶段。
: 在测试中，垂直型晶体管在实现0.65nm的沟道长度的同时，同样保持着较好的特性，也
: 就意味着芯片工艺，能够进入到1nm级别。
: 更重要的是，由于与平行型晶体管不同，这种垂直型晶体管技术，能够不依赖高精度光
: 刻技术和刻蚀技术的限制，就可以生产出高制程的芯片来。
: 目前相关论文已发表在《自然·电子学》（Nature Electronics）杂志上，湖南大学的
: 官网上也有相关的详细报道。

999个都是骗子最后还是能有一个真的吧

【 在 Inblue (随便吧) 的大作中提到: 】
: 你信吗？

出SCI文章的，就不是突破。
要是真能转化成技术的，绝对不会发文章。

哈哈，确实是！真的有前途，保密还来不及呢！

【 在 wsn01 (流氓01：自带干粮的六毛) 的大作中提到: 】
: 出SCI文章的，就不是突破。
: 要是真能转化成技术的，绝对不会发文章。

现在都是，一部分发文章，一部分申请专利，一部分不公开。做科研的，不比你我傻。【 在 wsn01 (流氓01：自带干粮的六毛) 的大作中提到: 】
: 出SCI文章的，就不是突破。
: 要是真能转化成技术的，绝对不会发文章。

现在都是，一部分发文章，一部分申请专利，一部分不公开。做科研的，不比你我傻。【 在 wsn01 (流氓01：自带干粮的六毛) 的大作中提到: 】
: 出SCI文章的，就不是突破。
: 要是真能转化成技术的，绝对不会发文章。

基础研究先行，再解决工艺的问题。中国突破芯片瓶颈只是时间而已。美国最后会搬石头砸自己的脚。话放这儿。

明天发文章，工艺已经到了普朗克尺度，不能更小了

也不看看是什么材料。
只要不是硅的，都是跟真实中需要的芯片没关系的。

【 在 Zinus (Suniz) 的大作中提到: 】
: 湖南大学的研究团队，采用低能量的范德华电极集成方式，实现了以二硫化钼作为半导
: 体沟道的薄层甚至单原子层的短沟道垂直器件，减小了隧穿电流，使得这种垂直晶体管
: 技术，进入到了一个新的阶段。
: 在测试中，垂直型晶体管在实现0.65nm的沟道长度的同时，同样保持着较好的特性，也
: 就意味着芯片工艺，能够进入到1nm级别。
: 更重要的是，由于与平行型晶体管不同，这种垂直型晶体管技术，能够不依赖高精度光
: 刻技术和刻蚀技术的限制，就可以生产出高制程的芯片来。
: 目前相关论文已发表在《自然·电子学》（Nature Electronics）杂志上，湖南大学的
: 官网上也有相关的详细报道。