ASML已完成1纳米光刻机设计：先供货台积电和三星！

编者按：摩尔定律的终点是什么？随着5nm光刻机的量产和3nm的突破，摩尔定律的尽头变得越来越扑朔迷离。不过可以肯定的是，随着随着工艺的进一步提高，其成本也在呈几何增长。

来自日媒的报道称，在不久前举办的线上活动中，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示，在与ASML公司的合作下，更加先进的光刻机已经取得了进展。


Luc Van den hove表示，IMEC的目标是将下一代高分辨率EUV光刻技术高NA EUV光刻技术商业化。由于此前得光刻机竞争对手早已经陆续退出市场，目前ASML把握着全球主要的先进光刻机产能，近年来，IMEC一直在与ASML研究新的EUV光刻机，目前目标是将工艺规模缩小到1nm及以下。

在本次得ITF Japan 2020线上会议上，IMEC还对外公布了其3nm、2nm、1.5nm和1nm及以下工艺的逻辑器件路线图。


据悉，从7nm开始，台积电已经在开始采用NA＝0.33的EUV光刻设备，与前代相比，更高分辨率的设备带来了频率和功耗的提升，也为目前台积电5nm制程提供了基础。

目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，至于设备的商业化。要等到至少2022年，而等到台积电和三星拿到设备，之前要在2023年。

随着工艺的不断进步，更加复杂的光刻系统还将导致设备变得更大，而未来3nm、1nm光刻机的价格，相比目前也是成倍增长。至于首批客户，没有意外的话将是台积电和三星。