投资银行高盛认为，中国光刻机公司至少落后美国同行20年。光刻技术是半导体制造的几个环节之一，也是阻碍中国制造高端芯片的唯一瓶颈。最先进的光刻机由荷兰公司ASML制造，由于其依赖美国原产的零部件，美国政府有权限制其对华销售。
由于担忧与军方的关联，中国科技巨头华为因美国政府制裁，被禁止从台积电采购芯片。因此，华为不得不依赖中芯国际满足其芯片需求，而美国又对中芯国际施加制裁，限制其采购极紫外 (EUV) 芯片制造光刻机，这意味着中芯国际只能用更旧的工艺以更高成本的方式生产 7 纳米芯片。
然而，这些芯片很可能是使用 ASML 较老的 DUV 机器制造的，因为中国缺乏制造先进光刻扫描仪的能力，因为它们需要的零部件在全球范围内生产，主要在美国和欧洲。投资银行高盛的一份最新报告指出，中国国内光刻设备行业可能比 ASML 落后二十年。
图片：Ray Wang/X
光刻是芯片制造工艺中的几个步骤之一。它涉及将芯片设计从光掩模转移到硅晶圆上。高端设备，例如 ASML 的 EUV 和高数值孔径 EUV 扫描仪，能够在硅晶圆上转移更小的电路图案，从而提高芯片性能。图案转移后，会进行蚀刻，形成最终布局，并在整个制造过程中沉积其他材料并清洁晶圆。
因此，光刻技术对于在晶圆上复制精细电路至关重要，这意味着光刻设备是芯片制造过程中的瓶颈。投资银行高盛在最近的一份报告中认为，中国国内芯片制造行业至少还需要20年才能达到与ASML当前一代芯片制造技术相当的水平。
目前，台积电等领先的芯片制造商正在量产3纳米芯片，并正在加紧生产2纳米产品。高盛的报告强调：“ASML花了20年时间，投入了400亿美元的研发和资本支出，才从65纳米光刻技术过渡到3纳米以下。” 鉴于中国本土的光刻设备制造商目前处于65纳米工艺阶段，该银行的数据显示，这些公司似乎不太可能在短期内赶上西方。
相关报道：
投资银行高盛最新评估显示，中国本土光刻设备制造能力主要集中在65纳米工艺节点，相较荷兰ASML公司的先进技术存在约20年的代际差距。这一判断揭示了全球半导体制造装备领域的不平衡格局，也凸显了技术追赶过程中的复杂性与长期性。然而，透过表面数据，中国光刻产业正在经历的结构性变化值得深入观察。
技术现实：从90纳米到28纳米的渐进突破
当前中国光刻设备的技术水平确实与国际先进标准存在显著差距。上海微电子装备集团作为中国最主要的光刻机制造商，其成熟产品SSA600系列主要服务于90纳米制程，而备受关注的28纳米浸没式光刻机SSA800-10W的进展则充满了不确定性。
从技术参数看，ASML的最新EUV光刻机能够实现8纳米分辨率，而中国设备在65纳米水平的表现已属不易。这种差距不仅体现在单一设备性能上，更反映了整个产业生态的成熟度差异。光刻技术涉及光源系统、光学器件、精密机械、控制软件等多个高度专业化领域，每个环节都需要长期的技术积累和供应链协同。
值得注意的是，中国企业并非完全停滞。多个信源显示，上海微电子在28纳米工艺光刻机方面取得了阶段性进展，关键部件的国产化率达到90%以上。虽然这些设备能否通过严格的工业验收仍存疑问，但技术路径的可行性正在得到验证。
全球格局：垄断与制衡的微妙平衡
ASML在全球光刻设备市场占据82.1%的份额，特别是在7纳米及以下先进制程所必需的EUV技术领域，该公司处于绝对垄断地位。这种技术集中度反映了半导体制造装备的高门槛特征，也解释了为何技术追赶如此困难。
有趣的是，2024年中国大陆市场占ASML销售额的36%，成为其最大单一市场。这种商业依赖关系与技术限制政策形成了复杂的互动。一方面，出口管制切断了中国获得最先进EUV设备的渠道；另一方面，成熟制程设备的大量需求维持着双方的商业联系。
这种格局的演变具有深远意义。随着地缘政治因素对技术贸易的影响加深，全球半导体供应链正在经历结构性调整。中国被迫加快自主技术开发，而国际厂商也在重新评估对单一市场的依赖程度。
追赶策略：差异化路径的探索
面对技术差距，中国采取了多元化的追赶策略。首先是在成熟工艺领域建立竞争优势，通过规模效应和成本控制获得市场空间。其次是在特定技术路径上寻求突破，例如探索不同于ASML主流激光技术的EUV实现方案。
更重要的是，中国正在构建相对完整的产业链配套体系。从光刻胶到光学器件，从精密机械到控制系统，本土供应商正在各个细分领域寻求突破。这种系统性布局虽然短期内难以形成整体突破，但为长期发展奠定了基础。
产业政策的支持也发挥了重要作用。通过国家重大专项投入和产业基金引导，相关企业获得了持续的研发资源。同时，下游应用市场的快速发展为设备验证和迭代优化提供了现实场景。
前景展望：时间与突破的辩证关系
"20年差距"的表述虽然形象，但可能过于简化了技术发展的复杂性。历史经验表明，后发国家在特定技术领域实现跨越式发展并非不可能，关键在于找到合适的切入点和发展路径。
对中国而言，完全复制ASML的技术路线既不现实也无必要。更可行的策略是在保证基本功能的前提下，通过技术创新和工艺优化实现性能提升。例如，通过多重曝光技术延伸DUV设备的工艺能力，或者开发新的光源技术实现EUV功能。
同时，全球半导体产业正在经历新的技术变革，包括3D堆叠、新型材料和量子器件等前沿技术的兴起，可能为技术追赶提供新的机会窗口。在这些新兴领域，起跑线相对平等，后发优势有望得到更充分的发挥。
从更宏观的角度看，光刻技术的发展已不仅仅是纯粹的技术竞争，更涉及产业生态、人才培养、资本投入和国际合作等多个维度。中国要想在这一关键领域取得突破，需要的不仅是单点技术创新，更需要系统性的能力建设和长期的战略定力。
高盛的"20年差距"评估提醒我们，技术追赶是一个长期而复杂的过程。但历史同样告诉我们，在正确的战略指导下，这种差距并非不可逾越。关键在于保持现实的预期，选择合适的路径，并持续投入必要的资源。
信息来源：
https://wccftech.com/goldman-sachs-chinese-advanced-chip-manufacturing-industry-20-years-behind-western-technology/
投资银行高盛认为，中国光刻机公司至少落后美国同行20年。光刻技术是半导体制造的几个环节之一，也是阻碍中国制造高端芯片的唯一瓶颈。最先进的光刻机由荷兰公司ASML制造，由于其依赖美国原产的零部件，美国政府有权限制其对华销售。
由于担忧与军方的关联，中国科技巨头华为因美国政府制裁，被禁止从台积电采购芯片。因此，华为不得不依赖中芯国际满足其芯片需求，而美国又对中芯国际施加制裁，限制其采购极紫外 (EUV) 芯片制造光刻机，这意味着中芯国际只能用更旧的工艺以更高成本的方式生产 7 纳米芯片。
然而，这些芯片很可能是使用 ASML 较老的 DUV 机器制造的，因为中国缺乏制造先进光刻扫描仪的能力，因为它们需要的零部件在全球范围内生产，主要在美国和欧洲。投资银行高盛的一份最新报告指出，中国国内光刻设备行业可能比 ASML 落后二十年。
图片：Ray Wang/X
光刻是芯片制造工艺中的几个步骤之一。它涉及将芯片设计从光掩模转移到硅晶圆上。高端设备，例如 ASML 的 EUV 和高数值孔径 EUV 扫描仪，能够在硅晶圆上转移更小的电路图案，从而提高芯片性能。图案转移后，会进行蚀刻，形成最终布局，并在整个制造过程中沉积其他材料并清洁晶圆。
因此，光刻技术对于在晶圆上复制精细电路至关重要，这意味着光刻设备是芯片制造过程中的瓶颈。投资银行高盛在最近的一份报告中认为，中国国内芯片制造行业至少还需要20年才能达到与ASML当前一代芯片制造技术相当的水平。
目前，台积电等领先的芯片制造商正在量产3纳米芯片，并正在加紧生产2纳米产品。高盛的报告强调：“ASML花了20年时间，投入了400亿美元的研发和资本支出，才从65纳米光刻技术过渡到3纳米以下。” 鉴于中国本土的光刻设备制造商目前处于65纳米工艺阶段，该银行的数据显示，这些公司似乎不太可能在短期内赶上西方。
相关报道：
投资银行高盛最新评估显示，中国本土光刻设备制造能力主要集中在65纳米工艺节点，相较荷兰ASML公司的先进技术存在约20年的代际差距。这一判断揭示了全球半导体制造装备领域的不平衡格局，也凸显了技术追赶过程中的复杂性与长期性。然而，透过表面数据，中国光刻产业正在经历的结构性变化值得深入观察。
技术现实：从90纳米到28纳米的渐进突破
当前中国光刻设备的技术水平确实与国际先进标准存在显著差距。上海微电子装备集团作为中国最主要的光刻机制造商，其成熟产品SSA600系列主要服务于90纳米制程，而备受关注的28纳米浸没式光刻机SSA800-10W的进展则充满了不确定性。
从技术参数看，ASML的最新EUV光刻机能够实现8纳米分辨率，而中国设备在65纳米水平的表现已属不易。这种差距不仅体现在单一设备性能上，更反映了整个产业生态的成熟度差异。光刻技术涉及光源系统、光学器件、精密机械、控制软件等多个高度专业化领域，每个环节都需要长期的技术积累和供应链协同。
值得注意的是，中国企业并非完全停滞。多个信源显示，上海微电子在28纳米工艺光刻机方面取得了阶段性进展，关键部件的国产化率达到90%以上。虽然这些设备能否通过严格的工业验收仍存疑问，但技术路径的可行性正在得到验证。
全球格局：垄断与制衡的微妙平衡
ASML在全球光刻设备市场占据82.1%的份额，特别是在7纳米及以下先进制程所必需的EUV技术领域，该公司处于绝对垄断地位。这种技术集中度反映了半导体制造装备的高门槛特征，也解释了为何技术追赶如此困难。
有趣的是，2024年中国大陆市场占ASML销售额的36%，成为其最大单一市场。这种商业依赖关系与技术限制政策形成了复杂的互动。一方面，出口管制切断了中国获得最先进EUV设备的渠道；另一方面，成熟制程设备的大量需求维持着双方的商业联系。
这种格局的演变具有深远意义。随着地缘政治因素对技术贸易的影响加深，全球半导体供应链正在经历结构性调整。中国被迫加快自主技术开发，而国际厂商也在重新评估对单一市场的依赖程度。
追赶策略：差异化路径的探索
面对技术差距，中国采取了多元化的追赶策略。首先是在成熟工艺领域建立竞争优势，通过规模效应和成本控制获得市场空间。其次是在特定技术路径上寻求突破，例如探索不同于ASML主流激光技术的EUV实现方案。
更重要的是，中国正在构建相对完整的产业链配套体系。从光刻胶到光学器件，从精密机械到控制系统，本土供应商正在各个细分领域寻求突破。这种系统性布局虽然短期内难以形成整体突破，但为长期发展奠定了基础。
产业政策的支持也发挥了重要作用。通过国家重大专项投入和产业基金引导，相关企业获得了持续的研发资源。同时，下游应用市场的快速发展为设备验证和迭代优化提供了现实场景。
前景展望：时间与突破的辩证关系
"20年差距"的表述虽然形象，但可能过于简化了技术发展的复杂性。历史经验表明，后发国家在特定技术领域实现跨越式发展并非不可能，关键在于找到合适的切入点和发展路径。
对中国而言，完全复制ASML的技术路线既不现实也无必要。更可行的策略是在保证基本功能的前提下，通过技术创新和工艺优化实现性能提升。例如，通过多重曝光技术延伸DUV设备的工艺能力，或者开发新的光源技术实现EUV功能。
同时，全球半导体产业正在经历新的技术变革，包括3D堆叠、新型材料和量子器件等前沿技术的兴起，可能为技术追赶提供新的机会窗口。在这些新兴领域，起跑线相对平等，后发优势有望得到更充分的发挥。
从更宏观的角度看，光刻技术的发展已不仅仅是纯粹的技术竞争，更涉及产业生态、人才培养、资本投入和国际合作等多个维度。中国要想在这一关键领域取得突破，需要的不仅是单点技术创新，更需要系统性的能力建设和长期的战略定力。
高盛的"20年差距"评估提醒我们，技术追赶是一个长期而复杂的过程。但历史同样告诉我们，在正确的战略指导下，这种差距并非不可逾越。关键在于保持现实的预期，选择合适的路径，并持续投入必要的资源。
信息来源：
https://wccftech.com/goldman-sachs-chinese-advanced-chip-manufacturing-industry-20-years-behind-western-technology/