（观察者网讯）
据《华尔街日报》18日报道，台积电高层表示，受第一座工厂建设延期影响，台积电正在美国亚利桑那州建造的两座半导体工厂中的第二座的投产时间亦将被推迟，是否将按原计划生产3纳米先进制程芯片也变得“不确定”。美媒称，这进一步打击了拜登政府意图推动本土芯片制造的计划。
2022年底，台积电在美首座工厂举行设备进厂典礼之际，台积电同时宣布其位于亚利桑那州凤凰城的第二座芯片厂也已动工建设，使总投资额从120亿美元倍增至400亿美元。台积电第二座工厂原先预计从2026年开始，量产比第一座工厂更先进的3纳米芯片。
报道称，本月18日，即将退休的台积电董事长刘德音在台北举行的法人说明会上修改了这一计划。他表示，虽然建设仍在继续，但台积电现在估计二厂的量产时间将推迟到2027年或2028年。彭博社19日指出，在这推迟的最长两年时间内，半导体技术足以升级一代。
报道引述刘德音的解释称，“台积电的海外决策，是基于客户需求和必要的政府补助或支持水准”。台积电首席财务官黄仁昭说，第一座工厂所面临的挫折，延迟了第二座工厂的建设。据台积电方面称，美国二厂要具体投资哪种制程的芯片也尚未确定。这代表该工厂是否将生产3纳米芯片的问题成了未知数。
1月18日，投资者会议期间，台积电董事长刘德音（右）和台积电总裁魏哲家出席新闻发布会。图片来源：视觉中国
《华尔街日报》提到，台积电这一价值400亿美元的项目在华盛顿重塑美国芯片制造产业的努力中占核心地位。美国有线电视新闻网（CNN）19日称，这标志着这家全球最大芯片制造商及其在拜登提振美国制造业中所扮演的角色再次遭遇挫折。彭博社也认为，这进一步打击了拜登政府推动在美国本土生产关键零部件的计划。
去年7月，台积电曾宣布，由于缺乏高技能工人且成本走高，美国亚利桑那州第一座工厂延迟量产，如今预计2025年上半年才开始量产4纳米芯片，晚于原计划的2024年。同年10月，英国《金融时报》发表长文梳理称，台积电赴美国设厂在施工和劳动力方面遭遇“文化上的水土不服”，导致项目受阻。
《金融时报》指出，在工程发包方式上，美国和台湾岛内的方式明显不同，这引发了许多摩擦。此外，台积电在美国一直难以找到足够多的熟练工来安装关键的精密设备，还一度从台湾增派了500名专家赴美协助这一阶段的工作，这曾引发亚利桑那州工会不满，指责台积电只想借此引进廉价外国劳工。
一些行业专家认为，美国在极紫外（EUV）光刻机方面，的确缺少专业人才，除英特尔公司在俄勒冈州的技术开发中心之外，美国还没有工厂安装过EUV。《金融时报》认为，台积电面临的真正挑战，将是如何像在台湾的工厂一样，高效地运营美国的新工厂。特别是在劳动力方面，行业专家警告称，台积电给予台湾工人的灵活性，将很难通过美国劳动力复制。
2022年12月，台积电在美国亚利桑那州正在建设的工厂。图片来源：台积电
《华尔街日报》认为，台积电高层18日的表态进一步表明，亚利桑那州项目面临的挑战，除了熟练工人短缺，还包括获得美国政府资金数额的谈判艰难。美国官员和分析师称，台积电强调项目面临诸多问题并推迟量产时间，可能是一种谈判策略，目的是最大限度地扩大其能够获得的《芯片法案》资金的份额。
报道称，双方人士都表示，事实证明拜登政府与台积电就补贴问题进行的谈判仍充满挑战，难点既包括补贴金额，也包括台积电接受补贴必须同意的条件。这些条件包括要求补贴接受方在某些情况下于美方分享其工厂的利润，并提供详细的运营信息。
此前，美国商务部去年3月公布《芯片法案》框架下半导体企业获得美方补助的具体申请手续后，韩媒就曾报道这一消息引发的担忧。“连半导体销售价格都要公开？美国的做法也太过分，韩国企业不知所措”，韩国《金融新闻》当时指出，美方要求提供的收益率、开工率等属“核心营业机密”，若在过程中被泄露给美国企业或竞争公司，三星电子和SK海力士将“遭受致命的打击”。
刘德音18日称，台积电正与美国政府就亚利桑那州的激励措施和税收减免进行持续沟通，并重申台积电正在与亚利桑那州当地工会和贸易伙伴合作。《华尔街日报》说，刘德音早前曾表示，美方提出的拟议条款恐怕会阻碍芯片制造商在美国投资，但没有透露具体细节。
美国2022年推出《芯片法案》，据美商务部称，已有500多家公司表示有兴趣获得该计划的资金，170多家公司已经提交了申请。彭博社指出，该法案本应向在美国扩张的芯片制造商提供约530亿美元的补贴，但迄今为止，拜登政府只向两家小型企业提供了少量资金支持，未向台积电或英特尔等主要芯片制造商发放任何补贴。
（观察者网讯）
据《华尔街日报》18日报道，台积电高层表示，受第一座工厂建设延期影响，台积电正在美国亚利桑那州建造的两座半导体工厂中的第二座的投产时间亦将被推迟，是否将按原计划生产3纳米先进制程芯片也变得“不确定”。美媒称，这进一步打击了拜登政府意图推动本土芯片制造的计划。
2022年底，台积电在美首座工厂举行设备进厂典礼之际，台积电同时宣布其位于亚利桑那州凤凰城的第二座芯片厂也已动工建设，使总投资额从120亿美元倍增至400亿美元。台积电第二座工厂原先预计从2026年开始，量产比第一座工厂更先进的3纳米芯片。
报道称，本月18日，即将退休的台积电董事长刘德音在台北举行的法人说明会上修改了这一计划。他表示，虽然建设仍在继续，但台积电现在估计二厂的量产时间将推迟到2027年或2028年。彭博社19日指出，在这推迟的最长两年时间内，半导体技术足以升级一代。
报道引述刘德音的解释称，“台积电的海外决策，是基于客户需求和必要的政府补助或支持水准”。台积电首席财务官黄仁昭说，第一座工厂所面临的挫折，延迟了第二座工厂的建设。据台积电方面称，美国二厂要具体投资哪种制程的芯片也尚未确定。这代表该工厂是否将生产3纳米芯片的问题成了未知数。
1月18日，投资者会议期间，台积电董事长刘德音（右）和台积电总裁魏哲家出席新闻发布会。图片来源：视觉中国
《华尔街日报》提到，台积电这一价值400亿美元的项目在华盛顿重塑美国芯片制造产业的努力中占核心地位。美国有线电视新闻网（CNN）19日称，这标志着这家全球最大芯片制造商及其在拜登提振美国制造业中所扮演的角色再次遭遇挫折。彭博社也认为，这进一步打击了拜登政府推动在美国本土生产关键零部件的计划。
去年7月，台积电曾宣布，由于缺乏高技能工人且成本走高，美国亚利桑那州第一座工厂延迟量产，如今预计2025年上半年才开始量产4纳米芯片，晚于原计划的2024年。同年10月，英国《金融时报》发表长文梳理称，台积电赴美国设厂在施工和劳动力方面遭遇“文化上的水土不服”，导致项目受阻。
《金融时报》指出，在工程发包方式上，美国和台湾岛内的方式明显不同，这引发了许多摩擦。此外，台积电在美国一直难以找到足够多的熟练工来安装关键的精密设备，还一度从台湾增派了500名专家赴美协助这一阶段的工作，这曾引发亚利桑那州工会不满，指责台积电只想借此引进廉价外国劳工。
一些行业专家认为，美国在极紫外（EUV）光刻机方面，的确缺少专业人才，除英特尔公司在俄勒冈州的技术开发中心之外，美国还没有工厂安装过EUV。《金融时报》认为，台积电面临的真正挑战，将是如何像在台湾的工厂一样，高效地运营美国的新工厂。特别是在劳动力方面，行业专家警告称，台积电给予台湾工人的灵活性，将很难通过美国劳动力复制。
2022年12月，台积电在美国亚利桑那州正在建设的工厂。图片来源：台积电
《华尔街日报》认为，台积电高层18日的表态进一步表明，亚利桑那州项目面临的挑战，除了熟练工人短缺，还包括获得美国政府资金数额的谈判艰难。美国官员和分析师称，台积电强调项目面临诸多问题并推迟量产时间，可能是一种谈判策略，目的是最大限度地扩大其能够获得的《芯片法案》资金的份额。
报道称，双方人士都表示，事实证明拜登政府与台积电就补贴问题进行的谈判仍充满挑战，难点既包括补贴金额，也包括台积电接受补贴必须同意的条件。这些条件包括要求补贴接受方在某些情况下于美方分享其工厂的利润，并提供详细的运营信息。
此前，美国商务部去年3月公布《芯片法案》框架下半导体企业获得美方补助的具体申请手续后，韩媒就曾报道这一消息引发的担忧。“连半导体销售价格都要公开？美国的做法也太过分，韩国企业不知所措”，韩国《金融新闻》当时指出，美方要求提供的收益率、开工率等属“核心营业机密”，若在过程中被泄露给美国企业或竞争公司，三星电子和SK海力士将“遭受致命的打击”。
刘德音18日称，台积电正与美国政府就亚利桑那州的激励措施和税收减免进行持续沟通，并重申台积电正在与亚利桑那州当地工会和贸易伙伴合作。《华尔街日报》说，刘德音早前曾表示，美方提出的拟议条款恐怕会阻碍芯片制造商在美国投资，但没有透露具体细节。
美国2022年推出《芯片法案》，据美商务部称，已有500多家公司表示有兴趣获得该计划的资金，170多家公司已经提交了申请。彭博社指出，该法案本应向在美国扩张的芯片制造商提供约530亿美元的补贴，但迄今为止，拜登政府只向两家小型企业提供了少量资金支持，未向台积电或英特尔等主要芯片制造商发放任何补贴。