拜登政府星期三宣布，美国商务部和美光科技签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片与科学法》（CHIPS and Science Act）提供高达约61.4亿美元的直接资金，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。所提议的资金将支持在纽约建设两座动态随机存储器（DRAM）晶圆厂，在爱达荷州新建一家DRAM晶圆厂，以扩大芯片生产。
"这算不算政府补贴，存储有没有产能过剩问题？"算
It depends on whether AI in the clound (core) and in the edge is going to grow as expected.
AI PCs and future automatic driving cars are on the edge of network. They use more memories.
https://news.lenovo.com/pressroom/press-releases/ai-pc-era-new-thinkcentre-desktops-powered-amd-ryzen-pro-8000-series/
Nvidia GPUs use HBM DRAM.
美国总统乔·拜登（Joe Biden）政府星期三（4月24日）与美国存储芯片制造商美光（Micron）就在美国境内生产尖端存储芯片达成初步协议，这是数十年来的首次。
拜登政府星期三宣布，美国商务部和美光科技签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片与科学法》（CHIPS and Science Act）提供高达约61.4亿美元的直接资金，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力。所提议的资金将支持在纽约建设两座动态随机存储器（DRAM）晶圆厂，在爱达荷州新建一家DRAM晶圆厂，以扩大芯片生产。
美光的总体愿景是创造约2万个就业机会，并在未来20年催生高达1250亿美元的民间资本，其中包括在未来六年内承诺500亿美元的资本支出。这些投资将共同推动美光在未来20年内将约40%的DRAM芯片生产转移到国内的计划。
在协议里，纽约州克莱建设计划中4个“巨型晶圆厂”中的前2个晶圆厂，会专注于尖端DRAM芯片的生产。每座晶圆厂将拥有60万平方英尺的洁净室，4个工厂的洁净室空间总计为240万平方英尺，这是美国有史以来宣布的最大洁净室空间，相当于近40个足球场的大小。
另外于爱达荷州博伊西将开发一座高产量制造（HVM）晶圆厂，拥有约60万平方英尺的洁净室空间，专注于生产尖端DRAM芯片。该晶圆厂将与该公司的研发设施位于同一地点，以提高研发和制造业务的效率，减少技术转让的滞后并缩短领先内存产品的上市时间。
美国商务部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）表示：“尖端存储芯片是所有先进技术的基础，在拜登总统的领导下，美国正在重建其生产这些关键能力的能力，这是近二十年来的首次。”她表示，通过这项拟议投资，美国正努力实现拜登政府芯片计划的核心目标之一，将最先进的记忆半导体技术的开发和生产重新引回美国。
雷蒙多说：“这对于维护我们在人工智能领域的领导地位，以及保护我们的经济和国家安全至关重要。”
美光被广泛认为是尖端DRAM技术和生产方面的全球领导者，并且是唯一一家总部位于美国的存储芯片制造商。目前，所有尖端的DRAM芯片制造都在东亚进行。DRAM芯片是无线通信、个人计算、高性能计算、汽车和人工智能等先进技术的重要组件。
美光总裁兼执行长桑贾伊·梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“这是美国半导体制造业的历史性时刻。”他说：“美光领先的内存技术是满足人工智能日益增长需求的基石，我们很自豪能够在美国进行重大的内存制造投资，这将创造许多高科技就业机会。“
美国为重振国内先进芯片的生产不遗余力。拜登政府今年3月份宣布与英特尔（Intel）达成初步协议，向它提供高达85亿美元的直接注资，以及110亿美元的贷款，以加强美国的供应链并重建美国在半导体制造的领先地位。
日前拜登政府还宣布，向三星电子公司（Samsung Electronics）提供最多64亿美元的直接资助，在德克萨斯州建立一个电脑芯片制造和研究中心。
此外由于对华芯片出口管制压力增加，韩国芯片巨头SK海力士（SK Hynix Inc.）4月初宣布将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建立下一代高带宽内存（HBM）生产基地，并计划于2028年下半年开始量产。